IC 载板阻焊干膜光刻胶及半导体光刻胶研发能力提升项目
描述
本项目计划投资 10,179.75 万元,实施地点位于珠海市南水镇平湾四路东北侧,实施主体为公司全资子公司珠海容大。公司计划通过珠海容大实施 IC 载板阻焊干膜光刻胶及半导体光刻胶研发能力提升项目,将围绕“IC 载板阻焊干膜光刻胶”、“248nm 光刻胶关键原材料测试评估”、“248nm 厚膜正胶产品开发”、“248nm 负性 lift-off 光刻胶产品开发”、“248nm 高分辨正胶产品开发”、“248nm 光刻胶光刻工艺开发”等 6 大研发课题进行研究,旨在提升公司在 IC 载板阻焊干膜光刻胶、KrF 半导体光刻胶的研发能力,为后续丰富产品体系奠定基础,实现自身可持续发展。
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