公司拟使用本次募集资金 51,100.00 万元投资成都高新西区高端功率半导体器件和组件研发及产业化项目,进一步向功率半导体的核心工艺平台及特色封装线延伸、提高公司核心竞争力。本项目由芯未半导体实施。项目建设地址在成都高新技术产业开发区西部园区德富大道以东、安泰六路以西、康强三路以南、康强二路以北地块内。芯未半导体已就项目用地取得《不动产权证书》(证书编号:川(2022)成都市不动产权第 0210574 号),证书显示,权利人为成都高投芯未半导体有限公司,坐落高新区西园街道展望村 1、2 组,面积为 20,000.07 平方米,权利性质为出让,用途为工业用地(标准地)。成都高新西区高端功率半导体器件和组件研发及产业化项目一期计划建设 周期为2年,投资额为56,568.00万元,拟使用募集资金金额为51,100.00万元(含)。经测算,成都高新西区高端功率半导体器件和组件研发及产业化项目一期内部收益率(税后)为 10.13%,投资回收期(税后)为 8.43 年。